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FLLD261
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
P8A
PD
. . . .350 mW @ T
A
= 25 Deg C
BV
. . . .200 V (M
IN) @ IR
= 5 uA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)
TEMPERATURES
Storage Temperature
-55 to +
150 Degrees C
Operating Junction Temperature
-55 to +150 Degrees C
POWER DISSIPATION
(NOTES 2 & 3)
Total Device Dissipation at TA = 25 Deg C
350 mW
Derating Factor per Degree C
2.8 mW
VOLTAGES & CURRENTS
WIV
Working Inverse Voltage
100 V
IO
Average Rectified Current
250 mA
IF
DC Forward Current
600 mA
if
Recurrent Peak Forward Current
700 mA
if (surge)
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1 second
1.0 A
Pulse width = 1 microsec
3.0 A
PACKAGE
TO-236AB (Low)
3
1
2
NOTES:
1.
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
2.
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
SYM
CHARACTERISTICS
MIN MAX UNITS
TEST CONDITIONS
B
V
Breakdown Voltage
200
V
IR
=
5.0 uA
I
R
Reverse Voltage Leakage Current
5.0
nA
VR
=
100 V
5.0
uA
VR
=
100 V
TA
= 150 Deg C
V
F
Forward Voltage
1.40
V
IF
=
200 mA
C
T
Diode Capacitance
4.0
pF
VR
=
1.0 V
f = 1.0 MHZ
T
RR
Reverse Recovery Time
400
ns
IF
= I
R
= 50 to 400 mA
IRR
= 10% I
R
RL
= 100 ohms
T
FR
Forward Recovery Time
10
ns
IF
=
10 mA
V
FM
Peak Forward Voltage
0.9
V
IF
=
10 mA
Typ
Rise Time = 5 ns +/-20%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (25 Degrees C Ambient Temperature unless otherwise stated)
3
2
1
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